transistor à effet de champ mosfet

Définitions.de transistor à effet de champ mosfet
Le Transistor mosfet à Effet de Champ à Métal Oxyde Semiconducteur (MOSFET : Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor) a sa grille isolée du canal par une couche de dioxyde de silicium (SiO2 ).
Le transistor MOSfet possède 4 électrodes : la Source (Source) S: point de départ des porteurs, le Drain (Drain) D :point de collecte des porteurs. La Grille (Gate) G et le Substrat (Body) B sont les électrodes de la capacité MOS qui contrôle le nombre de porteurs présents dans le canal.
L'intensité du courant circulant entre la source et le drain est commandée par la tension entre la grille de le substrat. Très souvent les électrodes de source et de substrat sont électriquement reliées, on retrouve un composant à 3 électrodes dans lequel la courant entre le Drain et la Source IDS est commandé par une tension entre la Grille et la Source (potentiel de source = potentiel de substrat) : VGS.
Les deux types fondamentaux de MOSFET sont les MOSFET à appauvrissement ( Depletion) D-MOSFET, et les MOSFET à enrichissement (Enhancement) E-MOSFET .
Dans chaque type de transistor à effet de champ mosfet, on peut distinguer le MOSFET canal N (le courant provient du déplacement d'électrons) et le Mtransistor à effet de champ mosfet